Ce projet comprend l’établissement d’une première ligne en Chine (3^ème ligne mondiale) de SiC qui complète la chaine de valeur du vertical de SiC avec une capacité de production mensuelle de 30 000 wafers SiC de 6 pouces.

Le site est situé dans la Zone Hi-Tech de Changsha qui couvre une surface de 1000 mu ( 667 000 m²).

Ce nouveau projet a été lancé en juillet 2020 et devrait entrer en production de masse d'ici quelques années. Le montant d’investissement total dépasse 16 Mds RMB (2,1 Mds EUR).

Le chiffre d’affaires estimé est de 12 Mds RMB (1,56 Md EUR) en pleine production.

En effet, point clé du tout nouveau 14^ème plan quinquennal (2021-2025), les semiconducteurs reçoivent une attention particulière de la part des autorités chinoises. Le développement de nouveaux matériaux tels que le GaN et le SiC, est explicitement mentionné comme priorité de ce plan publié en mars.

La performance des matériaux SiC peut répondre aux nouvelles exigences de la technologie de l'électronique de puissance pour les hautes températures, les hautes puissances, les hautes tensions et les hautes fréquences. Ce sera l’une des principales technologies de l'ère post-Moore. Selon les prévisions d'organisations professionnelles, le taux de croissance annuel composé des dispositifs en SiC atteindra 31 % au cours des 10 prochaines années, et il sera appliqué à grande échelle aux domaines des industries et des véhicules électriques.

Les produits électroniques de puissance du Groupe SanAn sont principalement des diodes de puissance en SiC à haute densité de puissance, des MOSFET et des dispositifs d'alimentation en GaN à base de silicium.

L’entreprise dispose déjà de 182 clients pour les diodes SiC, dont 92 clients en phase de prototypage et 35 clients en phase de production de masse.

Source : China Electronics News 24/06/21